BH76206HFV-TR

BH76206HFV-TR datasheet скачать даташит

Сообщить об ошибке

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

BH76206HFV-TR datasheet

Маркировка

BH76206HFV-TR
Производитель

Rohm
Описание

Rohm BH76206HFV-TR Applications: Driver Base Number: 76206 Current - Supply: 8mA ID_COMPONENTS: 2212478 Mounting Type: Surface Mount No. Of Pins: 6 Number Of Circuits: 1 Operating Temperature Range: -40?‚?°C To +85?‚?°C Package / Case: 5-HVSOF Power Dissipation Pd: 410mW Rohs Compliant: Yes Supply Current: 8mA Supply Voltage Max: 5.5V Supply Voltage Min: 2.6V Svhc: No SVHC (18-Jun-2010) Voltage - Supply, Single/dual (?±): 2.6 V ~ 5.5 V
Количество страниц

9 шт.
Форматы файла

HTML, PDF
(Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet BH76206HFV-TR.pdf
Файл формата Pdf 1,31 MB

Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Сообщить об ошибке

Где можно купить

BH76206HFV-TRОнлайн Компоненты

BH76206HFV-TRЭИК

BH76206HFV-TRТМ Электроникс

Разместить объявление

Новости электроники

<p>Новые технологии для ST микроконтроллера, опыт изготовителя и эффективность архитектуры STM32 дали возможность обеспечить отличный результат. Срок службы батареи составляет более чем 15 лет, также появились новые возможности по энергосбережению.</p>

Беспроводные MCU ST — оптимальное решение для эффективного промышленного мониторинга

25.05.2024

<p>TrendForce сообщает об очередных изменениях на рынке флэш-памяти NAND. В том числе на него повлияло сокращение производства, предусмотренное стратегией компании Samsung. У многих пользователей были определенные опасения, ситуацию усложняла неопределенность, приводящая к медленным закупкам, при этом количество запасов сократилось.</p>

По мнению TrendForce ожидается очередной рост выручки от продаж флэш-памяти NAND

24.05.2024

<p>Компания Infineon Technologies AG выпустила новейший МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC), CoolSiC MOSFET 650V и 1200V Generation 2, который стал новым достижением в области технологий преобразования энергии. Эта технология нового поколения значительно улучшает ключевые показатели производительности, такие как накопленная энергия и заряд, на 20 процентов по сравнению с предшественниками, без снижения качества и надежности. Это улучшение способствует повышению энергоэффективности, что вносит вклад в более широкие усилия по декарбонизации.</p>

Infineon представляет усовершенствованный SiC MOSFET для повышения энергоэффективности

22.05.2024

Еще новости

Продукция NKK Switches - Галетные, сенсорные, тактильные кнопки и переключатели.

Продукция NKK Switches

Галетные, сенсорные, тактильные кнопки и переключатели.

Разместить объявление

Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.