RUC002N05T116
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
RUC002N05T116 datasheet
-
МаркировкаRUC002N05T116
-
ПроизводительRohm
-
ОписаниеRohm RUC002N05T116 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 50 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 8 V Continuous Drain Current: 200 mA Rds On: 1.6 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SST3 Brand: ROHM Semiconductor Fall Time: 55 ns Forward Transconductance - Min: 0.4 S Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 200 mW Rise Time: 6 ns Factory Pack Quantity: 3000 Typical Turn-Off Delay Time: 15 ns
-
Количество страниц6 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
03.06.2024
03.06.2024
02.06.2024