SUV85N10-10-E3

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

SUV85N10-10-E3 datasheet

• Маркировка
  SUV85N10-10-E3
• Производитель
  Siliconix
• Описание
  Siliconix SUV85N10-10-E3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 85 A Resistance Drain-Source RDS (on): 10.5 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 175 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Fall Time: 130 ns Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 3.75 W Rise Time: 90 ns Factory Pack Quantity: 800 Typical Turn-Off Delay Time: 55 ns
• Количество страниц
  6 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet SUV85N10-10-E3.pdf
Файл формата Pdf 58,18 KB